Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZXMN10A25GTA, SOT223, 100В, 3,7А (набір 20 шт.)

Набір із 20 транзисторів N-MOSFET від Diodes Incorporated, модель ZXMN10A25GTA. Компоненти у корпусі SOT223 призначені для монтажу на поверхню (SMD) та розраховані на напругу 100 В і струм 3,7 А.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-виток: 100 В
• Струм стоку: 3,7 А
• Потужність розсіювання: 2 Вт
• Корпус: SOT223, монтаж SMD
• Опір у відкритому стані: 0,15 Ом
• Кількість у наборі: 20 шт.

Тип та полярність

Компонент є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення. Така структура забезпечує просте керування та ефективну роботу в ключових режимах.

Електричні параметри

Допустима напруга на затворі дорівнює ±20 В. Опір у відкритому стані (Rds(on)) становить 0,15 Ом, що зменшує нагрівання при провідності.

Потужність та струм

Максимальна напруга між витоком та стоком становить 100 В, а постійний струм стоку — 3,7 А. Потужність розсіювання дорівнює 2 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента.

Корпус та монтаж

Компоненти виконані у стандартному корпусі SOT223. Це дозволяє використовувати їх у схемах із поверхневим монтажем (SMD), що спрощує автоматизацію виробництва та економить місце на платі.