Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZXMN10A11GTA, 100В, 1,9А, SOT223 (20 шт.)
2 310 ₴
- В наявності
- Код: TM037646
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZXMN10A11GTA, 100В, 1,9А, SOT223 (20 шт.)В наявності
2 310 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 20 польових транзисторів N-MOSFET від Diodes Incorporated, модель ZXMN10A11GTA. Компоненти в корпусі SOT223 розраховані на напругу 100 В та струм 1,9 А,.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга дренаж-джерело: 100 В
- Струм дренажу: 1,9 А
- Корпус: SOT223 для SMD монтажу
- Потужність розсіювання: 2 Вт
- Кількість у наборі: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистори є уніполярними з каналом збагаченого типу. Максимальна напруга між виводами дренажу та джерела становить 100 В, а допустимий струм дренажу — 1,9 А. Опір у стані провідності дорівнює 0,45 Ом,.
Корпус та монтаж
Компоненти виготовлені в корпусі SOT223, який призначений для поверхневого монтажу (SMD). Цей тип монтажу використовується для поверхневого встановлення компонентів. Потужність розсіювання становить 2 Вт.
Комплектація
У наборі постачається 20 транзисторів. Набір містить 20 одиниць товару.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diodes Incorporated |
| Максимальна потужність розсіювання | 2 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1.9 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 450 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SOT223 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 310 ₴