Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZXMN10A07ZTA, 100В, 1,1А, SOT89 (30 шт.)

Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZXMN10A07ZTA — це уніполярний компонент із каналом збагачення, що використовується в електронних схемах. Комплект із 30 штук забезпечує запас для масового монтажу або серійного виробництва плат.

• Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: 100 В
• Струм стіка: 1,1 А
• Розсіювана потужність: 1,5 Вт
• Опір у стані провідності: 0,9 Ом
• Корпус: SOT89, монтаж SMD
• Кількість у комплекті: 30 шт.

Електричні параметри для стабільної роботи

Транзистор розрахований на напругу стік-витік до 100 В та постійний струм стіка 1,1 А. Максимальна розсіювана потужність становить 1,5 Вт, тому компонент потребує належного відведення тепла при тривалих навантаженнях. Опір у стані провідності дорівнює 0,9 Ом.

Компактний корпус SOT89 для SMD монтажу

Компонент виконаний у корпусі SOT89. Монтаж здійснюється за технологією SMD.

Зручна комплектація для виробництва

Упаковка містить 30 транзисторів.

Транзистор N-MOSFET із напругою стік-витік до 100 В та струмом стіка 1,1 А. Максимальна розсіювана потужність становить 1,5 Вт, а опір у стані провідності — 0,9 Ом. Компонент виконаний у корпусі SOT89 для SMD монтажу. Комплект містить 30 штук.