Транзистор N/P-MOSFET комплементарна пара Diodes Incorporated ZXMC4559DN8TA, 60 В, SO8, 20 шт.
3 380 ₴
- В наявності
- Код: TM021625
Транзистор N/P-MOSFET комплементарна пара Diodes Incorporated ZXMC4559DN8TA, 60 В, SO8, 20 шт.В наявності
3 380 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Комплементарна пара транзисторів N/P-MOSFET від Diodes Incorporated, модель ZXMC4559DN8TA. Виробник DIODES INCORPORATED. У комплекті 20 шт.
- Тип монтажу: поверхневий
- Корпус: SO8
- Максимальна потужність розсіювання: 1,25 Вт
- Максимально допустима напруга затвор-витік: 20 В
- Опір у відкритому стані (Rds): 75 мОм
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Максимальна напруга затвор-витік становить 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 75 мОм. Максимальна потужність розсіювання — 1,25 Вт.
Конструкція та монтаж
Транзистори мають поверхневий тип монтажу та корпус SO8. Канал wzbogacany (збагачений), полярність unipolarny (однополярна). Напруга дрена-джерела 60/-60 В, струм дрена 3,6/-2,6 А.
Комплектація
У наборі 20 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diodes Incorporated |
| Максимальна потужність розсіювання | 1.25 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 75 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 380 ₴