Транзистор N/P-MOSFET Diodes Incorporated ZXMC4559DN8TA, комплементарна пара, SO8, 60В (20 шт.)

Комплект із 20 комплементарних пар N/P-MOSFET транзисторів Diodes Incorporated моделі ZXMC4559DN8TA. Призначені для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі SO8, вони забезпечують надійну комутацію в електронних схемах із напругою до 60 В.

• Комплект із 20 транзисторів
• Комплементарна пара N/P-MOSFET
• Напруга стік-сорс: 60/-60 В
• Струм стіка: 3,6/-2,6 А
• Опір у відкритому стані: 75 мОм
• Корпус SO8, монтаж SMD

Комплементарна пара для ефективної комутації

Транзистори утворюють комплементарну пару N/P-MOSFET, що дозволяє створювати ефективні схеми керування навантаженням. Комплементарна пара дозволяє реалізовувати схеми керування навантаженням.

Технічні параметри та надійність

Максимальна напруга стік-сорс становить 60 В для N-каналу та -60 В для P-каналу, що робить компоненти придатними для різноманітних електронних схем. Струм стіка досягає 3,6 А (N) та -2,6 А (P), а опір у відкритому стані — 75 мОм, що мінімізує втрати енергії та нагрівання при роботі.

Зручний монтаж та компактність

Компоненти виконані у стандартному корпусі SO8 із технологією монтажу SMD, що спрощує автоматизоване виробництво друкованих плат. Потужність розсіювання становить 1,25 Вт, а напруга затвор-сорс — ±20 В, що визначає допустимі режими керування транзистором.