Транзистор N/P-MOSFET комплементарна пара Diodes Incorporated ZXMC3F31DN8TA, SO8, 20 шт.

Комплект із 20 транзисторів (комплементарна пара) N/P-MOSFET від Diodes Incorporated. Модель ZXMC3F31DN8TA у корпусі SO8 призначена для монтажу на поверхню плати (SMD) та розрахована на напругу 30/-30 В.

• Комплект із 20 шт. N/P-MOSFET (комплементарна пара)
• Корпус SO8 для поверхневого монтажу (SMD)
• Напруга дренаж-витік: 30/-30 В
• Струм дренажу: 4,5/-7 А
• Потужність розсіювання: 2,1 Вт
• Опір у стані провідності: 0,024/0,046 Ом

Комплементарна пара

Транзистори утворюють комплементарну пару (N-канальний та P-канальний MOSFET) в одному корпусі.

Електричні параметри та потужність

Максимальний струм дренажу становить 4,5 А для N-каналу та 7 А для P-каналу. Потужність розсіювання — 2,1 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента. Опір у стані провідності (Rds(on)) дорівнює 0,024 Ом для N-каналу та 0,046 Ом для P-каналу.

Монтаж та комплектність

Компоненти виконані у корпусі SO8 із типом монтажу SMD. У комплекті постачається 20 штук.