Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N/P-MOSFET Diodes Incorporated ZXMC3AMCTA, комплементарна пара, DFN3020B-8 (20 шт.)

2 910 ₴

  • В наявності
  • Код: TM021624
Транзистор N/P-MOSFET Diodes Incorporated ZXMC3AMCTA, комплементарна пара, DFN3020B-8 (20 шт.)
Транзистор N/P-MOSFET Diodes Incorporated ZXMC3AMCTA, комплементарна пара, DFN3020B-8 (20 шт.)В наявності
2 910 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Комплект із 20 комплементарних транзисторів N/P-MOSFET від Diodes Incorporated, модель ZXMC3AMCTA. Призначені для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі DFN3020B-8, мають максимальну напругу стік-витік 30/-30 В.

  • Комплект із 20 транзисторів
  • Корпус DFN3020B-8 для SMD монтажу
  • Напруга стік-витік 30/-30 В
  • Струм стіка 3/-2,2 А
  • Опір у відкритому стані 0,18/0,33 Ом
  • Потужність розсіювання 1,5 Вт

Керування та опір

Струм стіка становить 3/-2,2 А, що визначає максимальне навантаження. Опір у відкритому стані 0,18/0,33 Ом зменшує втрати потужності при комутації. Максимальна допустима напруга затвор-витік — ±20 В, що важливо для вибору драйвера затвора.

Теплові характеристики

Потужність розсіювання становить 1,5 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента. Це обмеження необхідно враховувати при проєктуванні системи охолодження та виборі режимів роботи транзистора.

Корпус та монтаж

Компоненти виконані у компактному корпусі DFN3020B-8 для поверхневого монтажу (SMD). Це забезпечує щільне розміщення на друкованих платах та зручність автоматизованого виробництва.

Характеристики
Основні
ВиробникDiodes Incorporated
Максимальна потужність розсіювання1.5 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораБіполярний
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті20 шт.
КорпусDFN3020B-8
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 910 ₴