Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated ZXM64P02XTA, MSOP8, 20 шт.

Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated ZXM64P02XTA — це уніполярний компонент з каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 20 штук у корпусі MSOP8, що забезпечує зручність для серійного виробництва або ремонтних робіт.

• Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
• Напруга дрена-джерела: -20 В
• Струм дрена: -2,8 А (постійний), -19 А (імпульсний)
• Потужність розсіювання: 1,1 Вт
• Корпус: MSOP8, монтаж SMD
• Комплектація: 20 штук

Керування та монтаж

Корпус MSOP8 та тип монтажу SMD забезпечують компактне розміщення на друкованих платах. Напруга затвор-джерело становить ±12 В, а заряд затвора — 6,9 нКл, що впливає на швидкість перемикання та вимоги до драйвера керування.

Структура транзистора

Уніполярна структура та канал збагачення визначають специфіку підключення в електронних схемах. Тип P-MOSFET вказує на полярність струму та напруги, що критично для правильної інтеграції в проект.