Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZXM61N02FTA, SOT23, 20В, 1,3А (комплект 40 шт.)
2 000 ₴
- В наявності
- Код: TM080308
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZXM61N02FTA, SOT23, 20В, 1,3А (комплект 40 шт.)В наявності
2 000 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Комплект із 40 транзисторів N-MOSFET від Diodes Incorporated, модель ZXM61N02FTA. Призначені для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі SOT23. Основні параметри: напруга 20 В, струм 1,3 А, потужність розсіювання 0,625 Вт.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Напруга витоку-джерела: 20 В
- Струм витоку: 1,3 А
- Потужність розсіювання: 0,625 Вт
- Опір у стані провідності: 0,24 Ом
- Кількість у комплекті: 40 шт.
Тип та канал
Транзистор є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення. Максимальна напруга між витоком та джерелом становить 20 В, а допустимий струм витоку — 1,3 А. Опір у стані провідності дорівнює 0,24 Ом.
Напруга затвора
Максимальна напруга між затвором та джерелом становить ±12 В.
Корпус та монтаж
Компоненти виконані у стандартному корпусі SOT23, що дозволяє використовувати їх для поверхневого монтажу (SMD).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diodes Incorporated |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.625 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 12 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1.3 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 240 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 000 ₴