
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZVNL120GTA, SOT223, 200В, 0,32А (набір 20 шт.)
3 040 ₴
- В наявності
- Код: TM021621
Транзистор N-MOSFET від Diodes Incorporated, модель ZVNL120GTA, у корпусі SOT223. Це уніполярний компонент із напругою стік-витік 200 В та струмом 0,32 А, призначений для поверхневого монтажу (SMD). Пакет містить 20 одиниць, що зручно для серійного виробництва або ремонтних робіт.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга стік-витік: 200 В
- Струм стіка: 0,32 А (імпульсний до 2 А)
- Корпус: SOT223, монтаж SMD
- Потужність розсіювання: 2 Вт
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу стік-витік 200 В, що дозволяє використовувати його в ланцюгах із підвищеною напругою. Номінальний струм стіка становить 0,32 А, а імпульсний струм може досягати 2 А. Опір у стані провідності дорівнює 10 Ом, що забезпечує ефективне перемикання з мінімальними втратами.
Теплові характеристики та монтаж
Потужність розсіювання компонента становить 2 Вт, що вимагає відповідного теплового розрахунку при проєктуванні плати. Корпус SOT223 та тип монтажу SMD забезпечують компактне розміщення на друкованій платі.
Комплектація
У наборі постачається 20 транзисторів, що оптимізує процес закупівлі для невеликих партій. Компоненти від виробника Diodes Incorporated мають символ ZVNL120GTA, що гарантує відповідність заявленим характеристикам.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diodes Incorporated |
| Максимальна потужність розсіювання | 2 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 200 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.32 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 10000 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SOT223 |
- Ціна: 3 040 ₴
