Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZVN4206GTA, 60В, 1А, SOT223, набір 20 шт.
2 670 ₴
- В наявності
- Код: TM021619
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZVN4206GTA, 60В, 1А, SOT223, набір 20 шт.В наявності
2 670 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 20 транзисторів N-MOSFET Diodes Incorporated моделі ZVN4206GTA у корпусі SOT223. Компоненти призначені для монтажу на поверхню (SMD) та розраховані на напругу до 60 В і струм 1 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга дренаж-виток: 60 В
- Струм дренажу: 1 А
- Розсіювана потужність: 2 Вт
- Корпус: SOT223, монтаж SMD
- Кількість у наборі: 20 шт.
Технічні параметри
Транзистори є уніполярними з каналом збагачення типу N-MOSFET. Максимальна розсіювана потужність становить 2 Вт, а опір у стані провідності — 1 Ом. Номінальна напруга між витоком та затвором дорівнює ±20 В.
Електричні характеристики та надійність
Комплект постачається у кількості 20 штук, що зручно для невеликих серій або прототипування. Корпус SOT223 забезпечує компактне розміщення на друкованій платі. SMD-монтаж дозволяє автоматизувати процес встановлення компонентів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diodes Incorporated |
| Максимальна потужність розсіювання | 2 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 1 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1000 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SOT223 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 670 ₴