
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZVN3310FTA, SOT23, 100В, 0,1А (комплект 30 шт.)
2 570 ₴
- В наявності
- Код: TM021617
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZVN3310FTA — це уніполярний компонент у корпусі SOT23 для монтажу на поверхню (SMD).## Комплектація
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга дрена-джерела: 100 В
- Постійний струм дрена: 0,1 А (імпульсний: 2 А)
- Корпус: SOT23, монтаж SMD
- Опір у стані провідності: 10 Ом
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Потужність та навантаження
Компонент розрахований на розсіювану потужність 0,33 Вт, що визначає його застосування в малопотужних схемах. Напруга затвор-джерело становить ±20 В, що забезпечує стабільне керування каналом. Тип каналу — збагачуваний, що гарантує закритий стан транзистора при відсутності напруги на затворі.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 100 В та постійним струмом дрена 0,1 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 2 А, що дозволяє використовувати компонент у схемах з короткочасними навантаженнями. Опір у стані провідності становить 10 Ом, що мінімізує втрати енергії при відкритому каналі.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у стандартному корпусі SOT23, що підходить для автоматизованого монтажу технологією SMD. Такий форм-фактор дозволяє економити місце на друкованій платі та забезпечує надійний контакт при пайці.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diodes Incorporated |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.33 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.1 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 10000 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SOT23 |
- Ціна: 2 570 ₴
