Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZVN2106GTA, 60В, 0,7А, SOT223 (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZVN2106GTA — це уніполярний компонент із каналом збагачення, що використовується у електронних пристроях. Комплект із 20 штук у корпусі SOT223 забезпечує зручність для масового монтажу та прототипування.

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
• Максимальна напруга стік-витік: 60 В
• Струм стоку: 0,7 А
• Розсіювана потужність: 2 Вт
• Корпус: SOT223 (SMD монтаж)
• Кількість у наборі: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою стік-витік до 60 В та витримує струм стоку 0,7 А. Максимальна розсіювана потужність становить 2 Вт, що дозволяє використовувати компонент у схемах із помірним навантаженням. Опір у відкритому стані дорівнює 2 Ом.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі SOT223, що є стандартом для поверхневого монтажу (SMD). Уніполярна структура та тип каналу «збагачуваний» визначають специфіку керування затвором. Максимальна напруга затвор-витік становить ±20 В.

Комплектація

У набір входить 20 транзисторів Diodes Incorporated.