
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZVN2106A, 60В, 0,45А, TO92 (набір 30 шт.)
2 650 ₴
- В наявності
- Код: TM021615
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZVN2106A — це уніполярний компонент із каналом збагачення, що використовується в електронних схемах. Модель розрахована на напругу 60 В та струм 0,45 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга «дрен-джерело»: 60 В
- Постійний струм «дрена»: 0,45 А
- Розсіювана потужність: 0,7 Вт
- Корпус: TO92, монтаж THT
- Набір: 30 шт.
Електричні характеристики
Транзистор має максимальну напругу «дрен-джерело» 60 В та постійний струм «дрена» 0,45 А. Це дозволяє використовувати компонент у схемах із живленням до 60 В. Розсіювана потужність становить 0,7 Вт, тому при проєктуванні схеми необхідно враховувати тепловий режим та не перевищувати допустимі навантаження.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO92 з виводами для монтажу в отвори (THT). Опір у стані провідності становить 2 Ом.
Комплектація
Товар постачається набором із 30 транзисторів. Максимальна напруга «затвор-джерело» становить ±20 В.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Diodes Incorporated |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.7 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.45 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2000 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | TO92 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 650 ₴
