Транзистор P-MOSFET YANGJIE TECHNOLOGY YJS2022A, -20V, -10.4A, SOP8 (YJS2022A-YAN) — набір 40 шт.

Транзистор P-MOSFET YANGJIE TECHNOLOGY YJS2022A — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Модель виконана в корпусі SOP8 для поверхневого монтажу (SMD) та реалізує технологію TRENCH POWER MV.

• Тип: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Напруга стік-витік: -20 В
• Струм стіка: -10,4 А (постійний), -55 А (імпульсний)
• Корпус: SOP8, монтаж SMD
• Технологія: TRENCH POWER MV
• Комплект: 40 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік -20 В та постійний струм стіка -10,4 А. У імпульсному режимі допустимий струм становить -55 А. Опір у відкритому стані становить 26 мОм, а максимальна розсіювана потужність — 3 Вт.

Керування та монтаж

Пристрій є уніполярним з каналом збагачення, напруга затвор-витік обмежена ±10 В. Загальний заряд затвора дорівнює 72,8 нКл. Компонент виконаний у корпусі SOP8 для технології поверхневого монтажу (SMD).

Комплектація

Товар постачається набором із 40 штук.