Транзистор P-MOSFET YANGJIE TECHNOLOGY YJQ4666B, DFN2020-6, -16V, -5,6A (YJQ4666B-YAN) — набір 400 шт.

Транзистор P-MOSFET від бренду YANGJIE TECHNOLOGY, модель YJQ4666B, призначений для монтажу на поверхню (SMD). Цей компонент виконаний у корпусі DFN2020-6 та працює за технологією TRENCH POWER LV. Увага: товар постачається комплектом із 400 штук.

• Тип: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Корпус: DFN2020-6, монтаж SMD
• Струм стоку: -5,6 А (номінальний), -28 А (імпульсний)
• Напруга стік-витік: -16 В
• Опір у відкритому стані: 60 мОм
• Комплектація: 400 шт.

Електричні параметри

Транзистор є уніполярним пристроєм із каналом збагачення. Максимальна напруга між витоком та затвором становить ±10 В. Номінальний струм стоку дорівнює -5,6 А, а імпульсний струм може досягати -28 А. Опір у відкритому стані (Rds(on)) — 60 мОм.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі DFN2020-6 для поверхневого монтажу (SMD). Використовується технологія TRENCH POWER LV. Максимальна розсіювана потужність становить 2,2 Вт. Заряд затвора дорівнює 7,2 нКл. Напруга стік-витік (Vds) — -16 В.