Транзистор N-MOSFET YANGJIE TECHNOLOGY YJH03N10A, 100В, 2,4А, SOT89 (набір 150 шт.)

Транзистор N-MOSFET від бренду YANGJIE TECHNOLOGY, модель YJH03N10A. Це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Товар постачається у комплекті зі 150 одиниць у корпусі SOT89 для поверхневого монтажу (SMD).

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Напруга стік-витік: 100 В
• Струм стіка: 2,4 А (постійний), 12 А (імпульсний)
• Опір у відкритому стані: 0,12 Ом
• Корпус: SOT89, монтаж SMD
• Комплектація: 150 шт.

Потужність та струм

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 100 В та постійний струм стіка 2,4 А. У імпульсному режимі струм може досягати 12 А. Опір у відкритому стані становить 0,12 Ом, що забезпечує ефективне проходження струму. Максимальна розсіювана потужність — 4 Вт.

Керування затвором

Використовується технологія TRENCH POWER MV, що оптимізує характеристики польового транзистора. Напруга затвор-витік допускає значення ±20 В. Загальний заряд затвора становить 16 нКл, що впливає на швидкість перемикання та енергоспоживання при керуванні. Цей параметр важливий для розрахунку драйверів затвора у схемах із частим перемиканням.