Транзистор N-MOSFET WAYON WMT05N10T1, 100В, 5А, SOT223 (набір 40 шт.)
2 370 ₴
- В наявності
- Код: TM079980
Транзистор N-MOSFET WAYON WMT05N10T1, 100В, 5А, SOT223 (набір 40 шт.)В наявності
2 370 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор WAYON WMT05N10T1 — це уніполярний N-MOSFET з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Модель розрахована на напругу дрен-джерело до 100 В та постійний струм дрену 5 А.Комплект із 40 одиниць
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга дрен-джерело: 100 В
- Струм дрену: 5 А (імпульсний до 20 А)
- Корпус: SOT223, монтаж SMD
- Розсіювана потужність: 4,2 Вт
- Опір у відкритому стані: 0,1 Ом
- Комплектація: набір із 40 транзисторів
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу дрен-джерело 100 В та допустимий імпульсний струм дрену 20 А. При постійному струмі 5 А опір у відкритому стані становить 0,1 Ом. Напруга затвор-джерело обмежена ±20 В, а сумарна розсіювана потужність — 4,2 Вт.
Монтаж та корпус
Компонент виготовлений у корпусі SOT223, що забезпечує зручність поверхневого монтажу (SMD). Заряд затвора становить 20,6 нКл.
Транзистор WAYON WMT05N10T1 поставляється набором із 40 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 4.2 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 100 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | SOT223 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 370 ₴