Транзистор N-MOSFET WAYON WMS119N10LG2, 100В, 11,5А, SOP8 (набір 30 шт.)
2 520 ₴
- В наявності
- Код: TM037546
Транзистор N-MOSFET WAYON WMS119N10LG2, 100В, 11,5А, SOP8 (набір 30 шт.)В наявності
2 520 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 30 транзисторів WAYON WMS119N10LG2 — це N-канальні MOSFET-пристрої з корпусом SOP8 для поверхневого монтажу (SMD). Компоненти розраховані на напругу 100 В та струм 11,5 А.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
- Максимальна напруга «дрен-джерело»: 100 В
- Струм «дрен»: 11,5 А (постійний), 38 А (імпульсний)
- Корпус: SOP8, монтаж: SMD
- Опір у відкритому стані: 13 мОм
- Потужність розсіювання: 3 Вт
- Кількість у наборі: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистори мають максимальну напругу «дрен-джерело» 100 В та постійний струм «дрен» 11,5 А. У імпульсному режимі пристрій витримує струм до 38 А. Потужність розсіювання становить 3 Вт, а опір у відкритому стані — 13 мОм.
Корпус та монтаж
Компоненти виконані у стандартному корпусі SOP8, призначеному для технології поверхневого монтажу (SMD).
Додаткові характеристики та комплектація
У пакеті постачається 30 однакових транзисторів WAYON WMS119N10LG2. Напруга «затвор-джерело» становить ±20 В, а заряд затвора — 19,5 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 3 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 11.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 13 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SOP8 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 520 ₴