Транзистор N-MOSFET WAYON WMS099N10LGS, 100В, 8.2А, SOP8 (набір 30 шт.)

Транзистор N-MOSFET WAYON WMS099N10LGS — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для комутації у електронних схемах. Комплект складається з 30 одиниць у корпусі SOP8, що забезпечує зручність для масового монтажу та прототипування.

• Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга стік-виток: 100 В
• Струм стоку: 8,2 А (імпульсний до 48 А)
• Корпус: SOP8, монтаж SMD
• Опір у відкритому стані: 14 мОм
• Комплектація: 30 штук у наборі

Висока струмова навантаженість

Транзистор працює з постійним струмом стоку 8,2 А, що дозволяє керувати потужними навантаженнями. Імпульсний струм може досягати 48 А, що важливо для схем із короткочасними піковими навантаженнями. Це робить компонент надійним вибором для силових ключів та драйверів двигунів.

Ефективне розсіювання тепла

Максимальна розсіювана потужність становить 3 Вт, що визначає тепловий режим роботи пристрою. Низький опір у відкритому стані 14 мОм мінімізує втрати енергії та нагрівання транзистора під час роботи.

Зручний монтаж SMD

Компонент виконаний у корпусі SOP8 із технологією монтажу SMD, що економить місце на друкованій платі та спрощує автоматизований монтаж. Напруга затвор-виток ±20 В дозволяє використовувати стандартні драйвери затвора. Загальний заряд затвора 57,5 нКл впливає на швидкодію перемикання, що є критичним параметром для імпульсних джерел живлення.

Транзистор WAYON WMS099N10LGS підходить для інженерів та радіоаматорів, які потребують надійних N-MOSFET компонентів для промислових або DIY-проектів. Набір із 30 штук зручний для серійного виробництва.