Транзистор N-MOSFET WAYON WMS090DNV6LG4, 65В, 12,5А, SOP8 (WMS090DNV6LG4-CYG) — набір 40 шт.
2 170 ₴
- В наявності
- Код: TM037543
Транзистор N-MOSFET WAYON WMS090DNV6LG4, 65В, 12,5А, SOP8 (WMS090DNV6LG4-CYG) — набір 40 шт.В наявності
2 170 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор WAYON WMS090DNV6LG4 — це подвійний N-канальний MOSFET у корпусі SOP8 для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 40 одиниць.
- Подвійний N-MOSFET транзистор
- Напруга дрена-джерела: 65 В
- Струм дрена: 12,5 А (постійний), 50 А (імпульсний)
- Розсіювана потужність: 3,1 Вт
- Опір у стані провідності: 12 мОм
- Корпус SOP8, монтаж SMD
- Комплект: 40 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 65 В та постійний струм дрена 12,5 А. У імпульсному режимі струм може досягати 50 А, а розсіювана потужність становить 3,1 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 12 мОм.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі SOP8 із типом монтажу SMD.
Електричні характеристики затвора та каналу
Транзистор має збагачуваний канал (enhancement mode) та уніполярну поляризацію. Напруга затвор-джерело становить ±20 В, а заряд затвора — 22,1 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 3.1 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 65 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 12.5 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 12 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | SOP8 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 170 ₴