Транзистор N-MOSFET WAYON WMS080N10LG2, 100В, 10А, SOP8 (набір 30 шт.)

Набір із 30 транзисторів WAYON WMS080N10LG2 типу N-MOSFET у корпусі SOP8. Призначені для монтажу на поверхню (SMD) у електронних схемах із напругою до 100 В та струмом до 10 А.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
• Напруга стік-виток: 100 В
• Струм стоку: 10 А (імпульсний до 260 А)
• Корпус: SOP8, монтаж SMD
• Опір у відкритому стані: 11 мОм
• Розсіювана потужність: 3 Вт
• Кількість у наборі: 30 шт.

Тип та канал транзистора

Транзистор є уніполярним N-MOSFET із збагачуваним каналом. Максимальна напруга між стоком та витоком становить 100 В, а постійний струм стоку — 10 А. У імпульсному режимі струм може досягати 260 А.

Потужність та заряд затвора

Опір у відкритому стані дорівнює 11 мОм. Максимальна розсіювана потужність транзистора — 3 Вт. Заряд затвора становить 15,7 нКл.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі SOP8, що підходить для поверхневого монтажу (SMD). Напруга на затворі обмежена ±20 В.