Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор WAYON WMS04P10TS, P-MOSFET, -100В, -3,5А, SOP8, набір 40 шт.

2 250 ₴

  • В наявності
  • Код: TM079962
Транзистор WAYON WMS04P10TS, P-MOSFET, -100В, -3,5А, SOP8, набір 40 шт.
Транзистор WAYON WMS04P10TS, P-MOSFET, -100В, -3,5А, SOP8, набір 40 шт.В наявності
2 250 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор WAYON WMS04P10TS — це уніполярний P-MOSFET з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Модель виконана в корпусі SOP8 для поверхневого монтажу (SMD) і поставляється набором із 40 штук.

  • Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
  • Максимальна напруга дрена-джерела: -100 В
  • Струм дрена: -3,5 А (постійний), -14 А (імпульсний)
  • Розсіювана потужність: 3,1 Вт
  • Опір у стані провідності: 0,16 Ом
  • Корпус: SOP8, монтаж: SMD
  • Напруга затвор-джерело: ±20 В
  • Заряд затвора: 19 нКл
  • Кількість у комплекті: 40 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу дрена-джерела -100 В та постійний струм дрена -3,5 А. У імпульсному режимі допустимий струм сягає -14 А. Опір у стані провідності становить 0,16 Ом, а розсіювана потужність — 3,1 Вт.

Керування та монтаж

Напруга керування затвор-джерело може змінюватися в межах ±20 В, а заряд затвора дорівнює 19 нКл. Компонент має поверхневий монтаж (SMD) та виконаний у корпусі SOP8.

Характеристики
Основні
Максимальна потужність розсіювання3.1 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Опір у відкритому стані (Rds)160 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті40 шт.
КорпусSOP8
ВиробникWAYON
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 250 ₴