Транзистор WAYON WMR12P02T1 P-MOSFET, DFN2020-6, -20В, -11,5А (WMR12P02T1-CYG) — набір 70 шт.

Транзистор WAYON WMR12P02T1 — це уніполярний P-MOSFET з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Компонент виконаний у компактному корпусі DFN2020-6 для поверхневого монтажу (SMD) і поставляється комплектом із 70 штук.

• Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: -20 В
• Постійний струм стіка: -11,5 А (імпульсний: -46 А)
• Корпус: DFN2020-6, монтаж SMD
• Опір у відкритому стані: 17 мОм
• Комплект: 70 штук

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік -20 В та постійний струм стіка -11,5 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до -46 А. Потужність розсіювання становить 3,1 Вт, а опір у відкритому стані — 17 мОм.

Керування та монтаж

Керування затвором здійснюється напругою ±12 В, а сумарний заряд затвора дорівнює 12 нКл. Компонент має тип монтажу SMD та розміщується в корпусі DFN2020-6.

Комплект із 70 штук.