Транзистор N-MOSFET WAYON WMR10N03T1, 30В, 8А, 26.6Вт, DFN2020-6, набір 40 шт.
1 850 ₴
- В наявності
- Код: TM079955
Транзистор N-MOSFET WAYON WMR10N03T1, 30В, 8А, 26.6Вт, DFN2020-6, набір 40 шт.В наявності
1 850 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор WAYON WMR10N03T1 — це польовий транзистор типу N-MOSFET у корпусі DFN2020-6 для поверхневого монтажу (SMD). Пристрій розрахований на максимальну напругу стік-витік 30 В та постійний струм стоку 8 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік: 30 В
- Максимальний струм стоку: 8 А
- Потужність розсіювання: 26.6 Вт
- Корпус: DFN2020-6 (SMD монтаж)
- Кількість у наборі: 40 шт.
Електричні параметри
Максимально допустима напруга стік-витік становить 30 В, а постійний струм стоку — 8 А. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 26.6 Вт, що визначає тепловий режим роботи компонента. У імпульсному режимі транзистор витримує струм до 40 А.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі DFN2020-6, призначеному для поверхневого монтажу (SMD).
Комплектація
Товар постачається набором із 40 транзисторів. Заряд затвора становить 9,9 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 26.6 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 8 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 16.5 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | DFN2020-6 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 850 ₴