Транзистор N-MOSFET WAYON WMR09N02T1, 20V, 9A, DFN2020-6, набір 40 шт.

Транзистор WAYON WMR09N02T1 — це польовий транзистор типу N-MOSFET у корпусі DFN2020-6 для монтажу SMD. Пристрій розрахований на напругу 20 В та струм 9 А, що робить його підходящим для компактних електронних схем із вимогами до низького опору відкритого каналу.

• Тип транзистора: N-MOSFET, збагачуваний канал
• Максимальна напруга дрена-джерела: 20 В
• Постійний струм дрена: 9 А (імпульсний до 36 А)
• Опір у стані провідності: 17,5 мОм
• Корпус DFN2020-6 для монтажу SMD
• Набір із 40 транзисторів

Потужність та струм

Транзистор працює при напрузі дрена-джерела 20 В та витримує постійний струм дрена 9 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 36 А, що дозволяє використовувати компонент у схемах із короткочасними піковими навантаженнями. Опір у стані провідності становить 17,5 мОм, що мінімізує втрати енергії при відкритому каналі.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі DFN2020-6, призначеному для поверхневого монтажу (SMD). Таке виконання забезпечує компактність вузла та зручність автоматизованого виробництва. Версія ESD вказує на наявність захисту від електростатичного розряду, що важливо при роботі з чутливими елементами.

Комплектація

Товар постачається набором із 40 транзисторів. Це зручно для прототипування або дрібносерійного виробництва, де потрібна невелика кількість однакових компонентів.