Транзистор N-MOSFET WAYON WMQ175N10HG4, 100В, 42А, PDFN3030-8, 30 шт.

Транзистор N-MOSFET WAYON WMQ175N10HG4 — це уніполярний польовий транзистор з індукованим каналом. Комплект складається з 30 одиниць у корпусі PDFN3030-8 для поверхневого монтажу (SMD).

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, з індукованим каналом
• Максимальна напруга стік-витік: 100 В
• Постійний струм стіка: 42 А, імпульсний: 168 А
• Розсіювана потужність: 65,8 Вт
• Опір у відкритому стані: 18 мОм
• Корпус: PDFN3030-8, монтаж SMD
• Заряд затвора: 17 нКл
• Кількість у комплекті: 30 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 100 В та постійний струм стіка 42 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 168 А, що дозволяє використовувати компонент у схемах із високими піковими навантаженнями. Максимальна розсіювана потужність становить 65,8 Вт, а опір у відкритому стані — 18 мОм.

Керування та монтаж

Компонент має заряд затвора 17 нКл, що впливає на швидкість перемикання та вимоги до драйвера затвора. Максимальна напруга затвор-витік обмежена ±20 В. Транзистор виконаний у корпусі PDFN3030-8 для технології SMD.

Комплектація

У пакуванні міститься 30 транзисторів WAYON WMQ175N10HG4.