Транзистор P-MOSFET WAYON WMQ12P10TS, -100В, -12А, PDFN3030-8 (WMQ12P10TS-CYG) — набір 30 шт.

Транзистор WAYON WMQ12P10TS — це уніполярний P-MOSFET з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Модель розрахована на напругу дрен-джерело до -100 В та постійний струм дрену до -12 А.

• Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
• Напруга дрен-джерело: -100 В
• Струм дрену: -12 А (імпульсний -48 А)
• Розсіювана потужність: 30 Вт
• Корпус: PDFN3030-8, монтаж SMD
• Кількість у комплекті: 30 шт.

Потужність та струм

Компонент розрахований на розсіювану потужність 30 Вт та імпульсний струм дрену до -48 А. Низький опір у стані провідності 0,1 Ом зменшує втрати енергії під час роботи. Максимальна напруга затвор-джерело становить ±20 В.

Напруга та канал

Транзистор є уніполярним P-MOSFET із каналом збагачення. Максимальна напруга дрен-джерело досягає -100 В, а постійний струм дрену становить -12 А. Заряд затвора дорівнює 65 нКл, що впливає на швидкість перемикання.

Комплектація

Компонент виконаний у компактному корпусі PDFN3030-8. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж), що дозволяє розміщувати транзистор на друкованих платах із високою щільністю.