Транзистор N-MOSFET WAYON WMQ099N10LG2, 100В, 47А, PDFN3030-8, 30 шт.
2 160 ₴
- В наявності
- Код: TM037534
Транзистор N-MOSFET WAYON WMQ099N10LG2, 100В, 47А, PDFN3030-8, 30 шт.В наявності
2 160 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор WAYON WMQ099N10LG2 — це N-MOSFET з каналом збагачення, розрахований на напругу 100 В та струм 47 А. Компонент виконаний у корпусі PDFN3030-8 для монтажу SMD і постачається набором із 30 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 100 В
- Постійний струм стіка: 47 А
- Імпульсний струм стіка: 188 А
- Розсіювана потужність: 41,6 Вт
- Опір у відкритому стані: 11 мОм
- Корпус: PDFN3030-8, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік 100 В та постійним струмом стіка 47 А. Імпульсний струм може досягати 188 А, а розсіювана потужність становить 41,6 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 11 мОм.
Корпус та монтаж
Компонент має корпус PDFN3030-8, призначений для поверхневого монтажу (SMD). Напруга затвор-витік обмежена ±20 В, а заряд затвора становить 23 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 41.6 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 47 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 11 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | PDFN3030-8 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 160 ₴