Транзистор N-MOSFET WAYON WMQ080N03LG2, 30 В, 17,7 А, PDFN3030-8 (WMQ080N03LG2-CYG) — набір 40 шт.

Транзистор WAYON WMQ080N03LG2 — це N-MOSFET з каналом збагачення, призначений для комутації струму до 17,7 А при напрузі 30 В. Компонент у корпусі PDFN3030-8 для поверхневого монтажу SMD постачається комплектом із 40 штук.

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: 30 В
• Постійний струм стоку: 17,7 А, імпульсний: 112 А
• Розсіювана потужність: 21,5 Вт
• Опір у відкритому стані: 12 мОм
• Корпус: PDFN3030-8, монтаж SMD
• Комплектація: 40 шт.

Тип та канал керування

Компонент є транзистором типу N-MOSFET з уніполярною структурою та каналом збагачення. Це означає, що для відкриття каналу необхідна додатна напруга на затворі відносно витоку. Така конфігурація визначає базові принципи керування пристроєм у схемах комутації.

Напруга та струм

Максимальна напруга стік-витік становить 30 В. Постійний струм стоку дорівнює 17,7 А, а в імпульсному режимі він може сягати 112 А. Допустима напруга затвор-витік обмежена значенням ±20 В.

Потужність та опір

Розсіювана потужність транзистора становить 21,5 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 12 мОм. Заряд затвора складає 7 нКл.