
Транзистор N-MOSFET WAYON WMQ040N03LG2, 30В, 27А, PDFN3030-8 (WMQ040N03LG2-CYG) — набір 50 шт.
2 290 ₴
- В наявності
- Код: TM037531
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор WAYON WMQ040N03LG2 — це N-MOSFET з каналом збагачення, призначений для комутації струму до 27 А при напрузі 30 В. Компонент виконаний у корпусі PDFN3030-8 для поверхневого монтажу (SMD) та постачається комплектом із 50 штук. Транзистор є уніполярним, з напругою затвор-витік ±20 В та зарядом затвора 15,9 нКл.
- Тип: N-MOSFET з каналом збагачення
- Напруга стік-витік: 30 В
- Постійний струм стоку: 27 А
- Імпульсний струм стоку: 170 А
- Опір у відкритому стані: 6,2 мОм
- Розсіювана потужність: 24,5 Вт
- Корпус: PDFN3030-8 (SMD)
- Комплектація: 50 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік 30 В та постійним струмом стоку 27 А. Імпульсний струм стоку становить 170 А. Опір у відкритому стані становить 6,2 мОм. Тип транзистора — N-MOSFET, канал збагачений.
Теплові характеристики та керування
Максимальна розсіювана потужність дорівнює 24,5 Вт. Заряд затвора становить 15,9 нКл, а допустима напруга затвор-витік — ±20 В. Транзистор є уніполярним.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 24.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 27 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 6.2 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 50 шт. |
| Корпус | PDFN3030-8 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 290 ₴
