Транзистор N-MOSFET WAYON WMO9N50D1B, 500В, 9А, TO252 (WMO9N50D1B-CYG) — набір 80 шт.
2 030 ₴
- В наявності
- Код: TM079925
Транзистор N-MOSFET WAYON WMO9N50D1B, 500В, 9А, TO252 (WMO9N50D1B-CYG) — набір 80 шт.В наявності
2 030 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор WAYON WMO9N50D1B — це N-канальний MOSFET-прилад технології WMOS™ D1 у корпусі TO252 для монтажу SMD. Комплект складається з 80 одиниць, що забезпечує робочий струм 9 А та напругу 500 В.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, вбудований канал
- Напруга стік-витік: 500 В
- Струм стоку: 9 А (імпульсний до 36 А)
- Потужність розсіювання: 104 Вт
- Корпус: TO252, монтаж SMD
- Комплект: 80 шт.
Електричні параметри
Прилад є уніполярним N-MOSFET з вбудованим каналом (wzbogacany). Максимальна напруга між стоком та витоком становить 500 В, а постійний струм стоку — 9 А. Імпульсний струм стоку (Idm) становить 36 А.
Потужність та опір
Розсіювана потужність транзистора дорівнює 104 Вт. Опір у стані провідності (Rds(on)) становить 0,68 Ом. Напруга на затворі обмежена величиною ±30 В, а заряд затвора — 72 нКл.
Монтаж та корпус
Компонент виготовлений у корпусі TO252, призначеному для поверхневого монтажу (SMD). Використовується технологія WMOS™ D1.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 104 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 500 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 9 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 680 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 80 шт. |
| Корпус | TO252 |
| Виробник | WAYON |
| Технологія | WMOS™ D1 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 030 ₴