Транзистор WAYON WMO80P04TS, P-MOSFET, -40 В, -80 А, 81,16 Вт (30 шт.)

Транзистор WAYON WMO80P04TS — це польовий P-MOSFET транзистор у корпусі TO252. Модель розрахована на максимальний струм -80 А та напругу -40 В, з потужністю розсіювання 81,16 Вт.

• Тип транзистора: P-MOSFET (польовий)
• Максимальний струм: -80 А
• Максимальна напруга: -40 В
• Потужність розсіювання: 81,16 Вт
• Опір у відкритому стані: 8,2 мОм
• Корпус: TO252 (поверхневий монтаж)
• Кількість у комплекті: 30 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу затвор-витік 20 В та опір у відкритому стані 8,2 мОм. Імпульсний струм дренажу може досягати -320 А, а заряд затвора становить 110 нКл. Канал транзистора є збагачуваним, що визначає його робочі характеристики.

Конструкція та монтаж

Компонент виконаний у поверхневому монтажі (SMD) у стандартному корпусі TO252.

Додаткові характеристики

Заряд затвора становить 110 нКл, а імпульсний струм дренажу — -320 А. Канал транзистора є збагачуваним, а полярність — уніполярною.