Транзистор P-MOSFET WAYON WMO80P04TS, -40В, -80А, корпус TO252 (WMO80P04TS-CYG) — набір 30 шт.

P-канальний польовий транзистор WAYON WMO80P04TS у корпусі TO252 для монтажу на поверхню (SMD). Пристрій розрахований на струм до -80 А та напругу -40 В, що робить його придатним для силових комутаційних схем.

• Струм стоку: -80 А
• Імпульсний струм: -320 А
• Напруга стік-витік: -40 В
• Розсіювана потужність: 81,16 Вт
• Опір у стані провідності: 8,2 мОм
• Корпус: TO252 (SMD)
• Кількість у комплекті: 30 шт.

Висока струмова навантаженість

Транзистор витримує постійний струм стоку -80 А та імпульсний струм до -320 А. Це дозволяє використовувати компонент у ланцюгах із значними пусковими струмами або короткочасними піками навантаження, забезпечуючи стабільну роботу пристрою.

Ефективне розсіювання тепла

Максимальна розсіювана потужність становить 81,16 Вт. Такий показник свідчить про здатність компонента працювати у режимах із високим тепловиділенням, що важливо для компактних силових модулів із обмеженим простором для радіаторів.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності дорівнює 8,2 мОм. Низьке значення опору зменшує втрати енергії на нагріванні транзистора під час роботи, підвищуючи загальний ККД електронного пристрою.

Зручний монтаж та комплектація

Компонент виконаний у корпусі TO252 для технології SMD, що спрощує автоматизований монтаж на друковані плати. Товар постачається набором із 30 штук, що зручно для серійного виробництва або ремонту обладнання.## Заряд затвора та керуванняЗаряд затвора становить 110 нКл, що впливає на швидкість перемикання транзистора. Максимальна напруга затвор-витік дорівнює ±20 В, що визначає допустимі рівні керуючого сигналу для надійної роботи схеми.