Транзистор N-MOSFET WAYON WMO80N06TS, 60V, 80A, TO252 (набір 40 шт.)
2 300 ₴
- В наявності
- Код: TM037527
Транзистор N-MOSFET WAYON WMO80N06TS, 60V, 80A, TO252 (набір 40 шт.)В наявності
2 300 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор WAYON WMO80N06TS — це N-MOSFET з каналом збагачення, розрахований на напругу 60 В та постійний струм 80 А. Компонент виготовлений у корпусі TO252 для поверхневого монтажу (SMD) і постачається набором із 40 штук.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
- Максимальна напруга стік-витік: 60 В
- Постійний струм стіка: 80 А, імпульсний: 320 А
- Опір у відкритому стані: 8 мОм
- Розсіювана потужність: 92 Вт
- Корпус: TO252, монтаж SMD
- Набір: 40 штук
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік до 60 В та витримує постійний струм 80 А. Імпульсний струм може досягати 320 А. Опір у відкритому стані становить 8 мОм. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 92 Вт.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO252 для поверхневого монтажу (SMD). Полярність транзистора — уніполярна, тип каналу — збагачуваний (enhancement mode).
Комплектація
Товар постачається у вигляді набору, що містить 40 транзисторів WAYON WMO80N06TS.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 92 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 80 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 8 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | TO252 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 300 ₴