Транзистор WAYON WMO35P04T1 — це уніполярний P-MOSFET у корпусі TO252 для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 40 одиниць.
- Тип: P-MOSFET, уніполярний
- Напруга дрена-джерела: -40 В
- Струм дрена: -35 А (постійний), -140 А (імпульсний)
- Потужність розсіювання: 40,3 Вт
- Корпус: TO252, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 40 шт.
Електричні параметри
Транзистор має напругу дрена-джерела -40 В та постійний струм дрена -35 А. У імпульсному режимі допустимий струм сягає -140 А, а розсіювана потужність становить 40,3 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 19 мОм.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO252, який призначений для поверхневого монтажу (SMD).
Додаткові параметри та комплектація
У наборі постачається 40 транзисторів. Напруга затвор-джерело становить ±20 В, а заряд затвора — 35 нКл. Канал транзистора — збагачуваний.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 40.3 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 19 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | TO252 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 920 ₴

