Транзистор N-MOSFET WAYON WMO25N10T1, 100V, 25A, TO252 (набір 50 шт.)

Транзистор WAYON WMO25N10T1 — це польовий N-MOSFET транзистор з каналом збагачення. Товар поставляється комплектом із 50 одиниць у корпусі TO252 для поверхневого монтажу (SMD).

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: 100 В
• Постійний струм стіка: 25 А, імпульсний: 100 А
• Розсіювана потужність: 53,2 Вт
• Опір у відкритому стані: 44 мОм
• Корпус: TO252, монтаж: SMD
• Комплектація: 50 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 100 В та постійний струм стіка 25 А. Імпульсний струм стіка може досягати 100 А, що дозволяє використовувати компонент у схемах з високими піковими навантаженнями. Максимальна розсіювана потужність становить 53,2 Вт, а опір у відкритому стані — 44 мОм.

Керування та монтаж

Компонент є уніполярним із каналом збагачення, що вимагає додатної напруги на затворі для відкривання. Максимальна напруга затвор-витік обмежена ±20 В. Загальний заряд затвора становить 37,9 нКл. ## Комплектація та монтаж Товар поставляється набором із 50 одиниць. Транзистор виконаний у корпусі TO252, що призначений для поверхневого монтажу (SMD). Такий формат упаковки зручний для серійного виробництва або складання партій пристроїв.