Транзистор WAYON WMO20N20JN, N-MOSFET, 200 В, 12 А, TO252 (30 шт.)

Транзистор WAYON WMO20N20JN — це польовий N-MOSFET транзистор у корпусі TO252 для поверхневого монтажу. Модель характеризується максимальною напругою стік-витік 200 В та струмом стоку 12 А.

• Тип транзистора: польовий N-MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік: 200 В
• Максимальний струм стоку: 12 А
• Опір у відкритому стані (Rds): 80 мОм
• Корпус: TO252 (поверхневий монтаж)
• Кількість у комплекті: 30 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу стік-витік 200 В та максимально допустиму напругу затвор-витік 20 В. Максимально допустимий струм стоку становить 12 А, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 80 мОм. Максимальна потужність розсіювання визначена на рівні 59 Вт.

Конструкція та монтаж

Компонент виконаний у корпусі TO252, що призначений для поверхневого монтажу. Тип транзистора — польовий, з каналом типу «wzbogacany» (збагачений). Час готовності становить 110 нс.

Додаткові характеристики та комплектація

У комплекті поставляється 30 шт. транзисторів. Імпульсний струм стоку (Idm) становить 60 А, а заряд затвора — 4,1 нКл. Транзистор є уніполярним.