Транзистор N-MOSFET WAYON WMO20N20JN, 200В, 12А, TO252, набір 30 шт.

Набір із 30 транзисторів WAYON WMO20N20JN типу N-MOSFET у корпусі TO252. Призначені для монтажу на поверхню (SMD) та роботи з напругою до 200 В і струмом 12 А.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний
• Напруга дрена-джерела: 200 В
• Струм дрена: 12 А (імпульсний до 60 А)
• Корпус: TO252, монтаж SMD
• Розсіювана потужність: 59 Вт
• Кількість у наборі: 30 шт.

Напруга та струм

Транзистор є уніполярним N-MOSFET з напругою дрена-джерела 200 В та номінальним струмом дрена 12 А. У імпульсному режимі струм дрена може досягати 60 А. Напруга затвор-джерело становить ±20 В.

Потужність та опір

Максимальна розсіювана потужність — 59 Вт. Опір у стані провідності становить 80 мОм, що зменшує втрати енергії під час роботи. Заряд затвора дорівнює 4,1 нКл.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі TO252, що дозволяє використовувати технологію поверхневого монтажу (SMD). Час готовності (turn-on time) становить 110 нс, що характеризує швидкодію пристрою.