Транзистор N-MOSFET WAYON WMO190N03TS, 30V, 190A, TO252 (WMO190N03TS-CYG) — набір 40 шт.

Транзистор WAYON WMO190N03TS — це N-MOSFET з каналом збагачення, призначений для комутації струмів до 190 А. Компонент виконаний у корпусі TO252 для поверхневого монтажу (SMD) та розрахований на робочу напругу 30 В.

• Струм дренажу 190 А
• Імпульсний струм 760 А
• Напруга дренаж-виток 30 В
• Опір у відкритому стані 3 мОм
• Корпус TO252, монтаж SMD
• Набір із 40 штук

Електричні параметри

Максимальний постійний струм дренажу становить 190 А, а імпульсний струм може досягати 760 А. Напруга дренаж-виток обмежена 30 В, що визначає клас застосування компонента. Опір у відкритому стані дорівнює 3 мОм, що забезпечує низькі втрати при комутації. Максимальна розсіювана потужність — 166,7 Вт.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі TO252, що є стандартом для силових MOSFET-транзисторів. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж), що дозволяє розміщувати елементи на друкованих платах без свердління отворів. Заряд затвора становить 0,1 мкКл.

Полярність та тип каналу Транзистор є уніполярним компонентом із каналом збагачення. Це означає, що для відкриття транзистора на затвор необхідно подати напругу, що перевищує порогове значення. У закритому стані струм через канал не протікає, що забезпечує надійну ізоляцію в колі. ## Напруга на затворі Максимальна допустима напруга між затвором та витоком становить ±20 В. Цей параметр визначає вимоги до схеми керування та обмежує максимальний сигнал на вході драйвера. Перевищення цієї напруги може призвести до пошкодження ізоляції затвора. ## Комплектація

Товар поставляється набором із 40 штук.