Транзистор P-MOSFET WAYON WMO13P06T1, -60В, -13А, TO252 (40 шт.)

Транзистор WAYON WMO13P06T1 — це уніполярний P-MOSFET у корпусі TO252 для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 40 одиниць, призначених для електронних схем із навантаженням до -13 А та напругою до -60 В.

• Тип: P-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
• Максимальна напруга «дрен-джерело»: -60 В
• Постійний струм стоку: -13 А (імпульсний: -52 А)
• Потужність розсіювання: 29,8 Вт
• Опір у відкритому стані: 90 мОм
• Корпус: TO252, монтаж SMD
• Кількість у комплекті: 40 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою «дрен-джерело» до -60 В та постійним струмом стоку -13 А. У імпульсному режимі допустимий струм сягає -52 А. Потужність розсіювання становить 29,8 Вт, а опір у відкритому стані — 90 мОм.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі TO252 для поверхневого монтажу (SMD). Напруга «затвор-джерело» обмежена ±20 В, а заряд затвора становить 15 нКл. Канал транзистора є збагачуваним (enhancement mode), що означає відсутність струму стоку при нульовій напрузі на затворі.