Транзистор N-MOSFET WAYON WMO13N10TS, 100В, 13А, TO252, набір 40 шт.
1 910 ₴
- В наявності
- Код: TM079906
Транзистор N-MOSFET WAYON WMO13N10TS, 100В, 13А, TO252, набір 40 шт.В наявності
1 910 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 40 транзисторів WAYON WMO13N10TS типу N-MOSFET у корпусі TO252. Компоненти призначені для монтажу на поверхню (SMD) та розраховані на напругу 100 В і струм 13 А.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга стік-виток: 100 В
- Струм стоку: 13 А (імпульсний до 52 А)
- Корпус: TO252, монтаж SMD
- Розсіювана потужність: 39 Вт
- Набір: 40 шт.
Тип та канал транзистора
Транзистор є уніполярним N-MOSFET з каналом збагачення. Максимальна напруга між стоком та витоком становить 100 В, а постійний струм стоку — 13 А. У імпульсному режимі струм може досягати 52 А. Напруга на затворі обмежена ±20 В.
Електричні параметри
Розсіювана потужність компонента дорівнює 39 Вт. Опір у провідному стані (Rds(on)) становить 0,13 Ом, що впливає на теплові втрати при роботі. Заряд затвора — 4 нКл.
Потужність та опір
У комплекті постачається 40 одиниць транзисторів. Корпус TO252 передбачає поверхневий монтаж (SMD).
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 39 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 13 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 130 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | TO252 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 910 ₴