Транзистор N-MOSFET WAYON WMO10N80M3, 800В, 10А, TO252, комплект 40 шт.

Транзистор WAYON WMO10N80M3 — це силовий N-канальний MOSFET технології WMOS™ M3 у корпусі TO252 для поверхневого монтажу. Комплект складається з 40 одиниць, призначених для електронних схем із навантаженням до 10 А та напругою до 800 В.

• Тип: N-MOSFET з каналом збагачення
• Напруга дрена-джерела: 800 В
• Струм дрена: 10 А
• Потужність розсіювання: 85 Вт
• Корпус: TO252 для SMD монтажу
• Комплект: 40 шт.

Технічні параметри

Пристрій має напругу дрена-джерела 800 В та струм дрена 10 А, що визначає його робочий діапазон у силових ланцюгах. Потужність розсіювання становить 85 Вт, а опір у стані провідності — 1,03 Ом. Максимальна напруга між затвором і джерелом обмежена ±30 В.

Монтаж та корпус

Транзистор виконаний у корпусі TO252 для технології SMD. Використовується технологія WMOS™ M3, яка є внутрішнім позначенням виробника для цієї серії компонентів.

Комплектація

У пакеті постачається 40 транзисторів WAYON WMO10N80M3. Символ виробника — WMO10N80M3, а код TME — WMO10N80M3-CYG. Транзистор є уніполярним компонентом.