Транзистор N-MOSFET WAYON WMO09N20DMH, 200В, 9А, TO252 (набір 40 шт.)
1 940 ₴
- В наявності
- Код: TM079900
Транзистор N-MOSFET WAYON WMO09N20DMH, 200В, 9А, TO252 (набір 40 шт.)В наявності
1 940 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 40 транзисторів WAYON WMO09N20DMH — це N-MOSFET компоненти для електронних схем. Пристрої мають напругу дрен-джерело 200 В та струм дрену 9 А.
- Напруга дрен-джерело: 200 В
- Струм дрену: 9 А (імпульсний до 36 А)
- Розсіювана потужність: 80,6 Вт
- Корпус: TO252 (SMD монтаж)
- Тип: N-MOSFET, канал збагачення
- Комплектація: 40 шт. у наборі
Електричні характеристики
Транзистори є уніполярними N-MOSFET з каналом збагачення. Максимальна розсіювана потужність становить 80,6 Вт, а імпульсний струм дрену досягає 36 А. Опір у відкритому стані дорівнює 0,35 Ом.
Корпус та монтаж
Компоненти виготовлені в корпусі TO252 для поверхневого монтажу (SMD). Компоненти призначені для поверхневого монтажу (SMD). Напруга затвор-джерело обмежена ±20 В, а заряд затвора становить 19,1 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 80.6 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 200 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 9 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 350 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | TO252 |
| Виробник | WAYON |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 940 ₴