Транзистор N-MOSFET WAYON WMO099N10HGS, 100V, 43A, TO252 (30 шт.)

Транзистор WAYON WMO099N10HGS — це N-MOSFET у корпусі TO252 для монтажу на поверхню (SMD). Комплект складається з 30 елементів, призначених для електронних схем із навантаженням до 43 А та напругою до 100 В.

• Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
• Максимальна напруга дрена-джерела: 100 В
• Постійний струм дрена: 43 А
• Імпульсний струм дрена: 268 А
• Розсіювана потужність: 89,3 Вт
• Опір у відкритому стані: 9,9 мОм
• Корпус: TO252, монтаж SMD
• Кількість у комплекті: 30 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 100 В та постійним струмом дрена 43 А. У імпульсному режимі струм може досягати 268 А, а розсіювана потужність становить 89,3 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 9,9 мОм, що забезпечує ефективну роботу при високих навантаженнях.

Корпус та монтаж

Елемент виконаний у корпусі TO252, що дозволяє використовувати технологію поверхневого монтажу (SMD). Це спрощує автоматизацію виробництва та економить місце на друкованій платі.

Заряд затвора та керування

Заряд затвора становить 59 нКл, що визначає швидкість перемикання та вимоги до драйвера. Максимальна допустима напруга затвор-джерело дорівнює ±20 В, що є стандартним значенням для керування логічними рівнями. Канал транзистора є збагачуваним, тому для відкривання потрібна додатна напруга на затворі відносно джерела.