
Транзистор N-MOSFET WAYON WMO090NV6HG4, 65В, 68А, TO252 (комплект 40 шт.)
1 920 ₴
- В наявності
- Код: TM079895
Транзистор N-MOSFET WAYON WMO090NV6HG4 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для комутації струму до 68 А при напрузі 65 В. Товар поставляється комплектом із 40 штук у корпусі TO252 для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 65 В
- Постійний струм стоку: 68 А (імпульсний: 272 А)
- Розсіювана потужність: 73,5 Вт
- Опір у відкритому стані: 9,5 мОм
- Корпус: TO252, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 40 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік (VDS) 65 В та постійним струмом стоку 68 А. У імпульсному режимі допустимий струм сягає 272 А, а розсіювана потужність становить 73,5 Вт. Опір у відкритому стані (RDS(on)) дорівнює 9,5 мОм.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO252 (DPAK), що дозволяє використовувати технологію поверхневого монтажу (SMD). Корпус TO252 призначений для поверхневого монтажу (SMD).
Комплектація
У пакуванні міститься 40 транзисторів. Напруга затвор-витік становить ±20 В, а заряд затвора — 15,8 нКл. Ці параметри визначають вимоги до керуючого сигналу та швидкість перемикання транзистора.
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 73.5 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 65 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 68 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 9.5 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | TO252 |
| Виробник | WAYON |
- Ціна: 1 920 ₴
