Транзистор N-MOSFET WAYON WMO08N80M3, 800В, 7А, TO252 (WMO08N80M3-CYG) — набір 50 шт.
2 130 ₴
- В наявності
- Код: TM079894
Транзистор N-MOSFET WAYON WMO08N80M3, 800В, 7А, TO252 (WMO08N80M3-CYG) — набір 50 шт.В наявності
2 130 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор WAYON WMO08N80M3 — це N-канальний MOSFET у корпусі TO252 для монтажу на поверхню (SMD). Пристрій розрахований на напругу 800 В та струм 7 А.
- Тип: N-MOSFET з каналом, що збагачується
- Максимальна напруга стік-виток: 800 В
- Максимальний струм стік: 7 А
- Розсіювана потужність: 70 Вт
- Корпус: TO252 (DPAK), монтаж SMD
- Технологія: WMOS™ M3
- Кількість у комплекті: 50 шт.
Висока напруга та струм
Транзистор витримує напругу між витоком та стоком 800 В. Максимальний струм стоку становить 7 А, а розсіювана потужність — 70 Вт. Ці параметри визначають робочий діапазон компонента.
Технологія WMOS™ M3
Компонент виготовлений за технологією WMOS™ M3. Корпус TO252 (DPAK) призначений для поверхневого монтажу (SMD). Полярність транзистора — уніполярна, канал збагачений.
Електричні параметри каналу
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 70 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 30 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 800 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 7 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1380 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 50 шт. |
| Корпус | TO252 |
| Виробник | WAYON |
| Технологія | WMOS™ M3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 130 ₴