Транзистор N-MOSFET WAYON WMO053NV8HGS, 85V, 118A, TO252 (WMO053NV8HGS-CYG) — набір 30 шт.
2 170 ₴
- В наявності
- Код: TM037517
Транзистор WAYON WMO053NV8HGS — це N-MOSFET з каналом збагачення, призначений для комутації струму до 118 А при напрузі 85 В. Компонент виконаний у корпусі TO252 для поверхневого монтажу (SMD) та постачається комплектом із 30 штук.
- Тип: N-MOSFET з каналом збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 85 В
- Постійний струм стоку: 118 А
- Імпульсний струм: 472 А
- Опір у відкритому стані: 5,8 мОм
- Корпус: TO252 (SMD)
- Комплектація: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою стік-витік 85 В та постійним струмом стоку 118 А. Імпульсний струм може досягати 472 А. Опір у відкритому стані становить 5,8 мОм.
Керування та швидкість перемикання
Для керування затвором використовується напруга ±20 В, а сумарний заряд затвора становить 72,6 нКл. Ці параметри визначають вимоги до драйвера та впливають на швидкість перемикання транзистора.
Теплові характеристики та монтаж
Максимальна розсіювана потужність дорівнює 138,9 Вт. Компонент має корпус TO252 для технології поверхневого монтажу SMD. Увага: товар постачається як набір із 30 транзисторів.
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 138.9 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 85 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 118 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 5.8 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | TO252 |
| Виробник | WAYON |
- Ціна: 2 170 ₴