Транзистор WAYON WMM80P04TS P-MOSFET, -40 В, -80 А, 92,6 Вт, TO263 (30 шт.)

Транзистор WAYON WMM80P04TS — польовий транзистор типу P-MOSFET у корпусі TO263 з поверхневим типом монтажу. У назві товару TME для нього вказано -40 В, -80 А та 92,6 Вт. У комплекті 30 шт.

• P-MOSFET: -40 В, -80 А
• Імпульсний струм стоку: -320 А
• Максимально допустима напруга затвор-витік: 20 В
• Опір у відкритому стані (Rds): 8,5 мОм
• Максимальна потужність розсіювання: 92,6 Вт
• Корпус TO263, у комплекті 30 шт.

Тип транзистора

MOSFET — польовий транзистор зі структурою метал-оксид-напівпровідник, а літера P у позначенні вказує на P-канал. За даними TME транзистор уніполярний. Тип каналу — збагачуваний.

Напруга та струм

Максимально допустима напруга затвор-витік становить 20 В. Імпульсний струм стоку становить -320 А.

Опір і заряд затвора

Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 8,5 мОм. Позначення Rds означає опір між стоком і витоком. Заряд затвора становить 110 нКл.

Потужність і корпус

Максимальна потужність розсіювання становить 92,6 Вт. Транзистор виконано в корпусі TO263, тип монтажу — поверхневий.

Комплектація

У комплекті 30 транзисторів WAYON WMM80P04TS. Код набору в каталозі TME — WMM80P04TS-CYG.