Транзистор N-MOSFET WAYON WMM6N90D1, 900В, 6А, TO263 (WMM6N90D1-CYG) — набір 30 шт.

Транзистор WAYON WMM6N90D1 — це N-MOSFET з каналом збагачення, розроблений для роботи під напругою до 900 В. Пристрій виконаний у корпусі TO263 для поверхневого монтажу (SMD) та належить до технології WMOS™ D1.

• Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга стік-виток: 900 В
• Струм стоку: 6 А (імпульсний до 24 А)
• Корпус: TO263, монтаж SMD
• Технологія: WMOS™ D1
• Набір: 30 штук

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу стік-виток 900 В. Номінальний струм стоку становить 6 А, а імпульсний струм може досягати 24 А. Напруга на затворі обмежена ±30 В, а опір у відкритому стані дорівнює 1,7 Ом.

Теплові характеристики та монтаж

Максимальна розсіювана потужність транзистора — 100 Вт. Заряд затвора становить 86,2 нКл. Компонент призначений для поверхневого монтажу (SMD).

Комплектація

Товар постачається набором із 30 штук. Транзистор є уніполярним компонентом з каналом збагачення. Заряд затвора становить 86,2 нКл, що впливає на швидкість перемикання. Опір у відкритому стані дорівнює 1,7 Ом, що визначає втрати при протіканні струму.